LiGaO2

产品详细介绍：

b-LiGaO₂晶体属于正交晶系，空间群为Pna2₁，晶格常数a=5.402Å，b=6.372Å，c=5.007Å，熔点为1560℃，与GaN的晶格失配率为0.2%。同时，LiGaO₂作为GaN外延衬底材料还有独到的优点：外延生长GaN后，LiGaO₂衬底可以被腐蚀掉，只剩下GaN外延膜，这极大地方便了器件的制作。

LiGaO₂单晶于1960年生长应用于激光。然而后来发现由于它对GaN晶格匹配非常好（失配率<0.2%）并且高温下化学稳定和低成本，因而成为潜在的III-V 氮化物薄膜基片。元晶公司从1996年开始为研究者供应高质量LiGaO2晶体基片，并且质量得以大大改进以适合于LD应用。